采用吉时利直流参数测试系统并配合高压测试探针对制备的LDMOS器件进行在片测试
2021-06-07 11:15
通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比，指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。
2011-12-01 11:00
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的
2010-07-14 16:28
的器件特性方面，如增益、线性度、开关性能、散热性能以及减少级数等方面优势很明显。 LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS是一种双扩散结构的功率器件
2020-05-24 01:19
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的
2010-02-23 11:34
的首选，并广泛应用于LED驱动、电源管理及汽车电子等领域。对于LDMOS来说，比导通电阻和击穿电压是两个重要的参数，同时相互影响，降低比导通电阻和提高击穿电压是器件的设计与研究的热点与难点。目前采用的技术主要有以下几
2017-11-02 14:32
，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Sem
2019-07-31 07:30
晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2017-12-08 20:01
本文针对LDMOS 器件在ESD 保护应用中的原理进行了分析，重点讨论了设计以及应用过程中如何降低高触发电压和有效提高二次击穿电流，结合实际工艺对器件进行参数优化，得到
2009-12-14 09:48
LDMOS器件设计中，常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LD-MOS器件，围绕当获得最优的
2017-11-08 14:50
