型号 2SJ668丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于VBsemi的MOSFET产品06N03LAG-VB的详细信息:1. 产品简介: - 型号:06N03LAG-VB - 封装:TO263 - 构造:单N
2024-07-03 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: IPD06N03LAG-VB丝印: VBE1206品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N—Channel- 额定电压: 20V- 额定电流: 145A- 导通电阻 (RDS
2024-01-02 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
,老人助听器 产品参数:型号:12540-60mAh标称电压3.7V能量0.222Wh出货电压3.85V-3.95V充电电压限制4.2V放电电压限制3.0
2022-02-24 08:38 深圳市倍特力电池有限公司 企业号
%F.S滞后误差Lag error±0.03%F.S线性误差Linear error±0.03%F.S零点输出Zero outputt≤±1%R.C重复性误差Repe
2024-06-18 10:03 南京聚方格智能科技有限公司 企业号
%F.S滞后误差Lag error±0.03%F.S线性误差Linear error±0.03%F.S零点输出Zero outputt≤±1%R.C重复性误差Rep
2024-06-18 09:49 南京聚方格智能科技有限公司 企业号
%F.S滞后误差Lag error±0.03%F.S线性误差Linear error±0.03%F.S零点输出Zero outputt≤±1%R.C重复性误差Rep
2024-06-18 09:45 南京聚方格智能科技有限公司 企业号
%F.S滞后误差Lag error±0.03%F.S线性误差Linear error±0.03%F.S零点输出Zero outputt≤±1%R.C重复性误差Repe
2024-06-17 16:03 南京聚方格智能科技有限公司 企业号
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2024-06-17 15:44 南京聚方格智能科技有限公司 企业号