### 产品简介**B298L-VB** 是一款高性能单N沟道 MOSFET,封装形式为 TO263。该 MOSFET 采用 Trench 技术,设计用于中高电压和高电流应用。它具有较高的耐压和低导
2025-01-07 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
0.006 至 0.008 W。标签:芯片,低噪声放大器。CMD298 的更多细节可以在下面看到。产品规格产品详情零件号 &n
2022-10-09 17:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介AOW298-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术。设计用于高电流和中等电压的应用场合,具有较低的导通电阻和高电流能力。该器件封装为TO262,适合需要
2024-12-13 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo 的 CMD298C4 是一款射频放大器,频率为 17 至 25 GHz,增益为 22 至 27.5 dB,噪声系数为 1.4 至 2 dB,P1dB 8 至 9 dBm,P1dB
2022-10-09 17:48 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
电流(ID),适合需要高效能和高电流处理能力的电源管理和功率开关应用。### 二、详细参数说明- **封装形式**:TO263-7L- **配置**:双N沟道和双P
2024-11-12 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15N06L-VB 产品简介15N06L-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,具有高压容忍性和低导通电阻。采用沟槽工艺制造,适用于多种应用场合,如电源管理、
2024-07-06 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
高压、高性能的应用场合,如电源逆变器、电机驱动器、电源开关等。### 15N40L-TA3-T-VB 详细参数说明- **包装**: TO220- **构型**: 单
2024-07-06 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
需要稳定和可靠电源控制的应用场合。### 二、7N40L-TF1-T-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220F- **配置**:单N沟道- **耐压(
2024-11-20 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
(VDS),适合需要处理高电压的电源开关和控制应用。### 5N60L-TF1-T-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220F- **器件配置**:单 N
2024-11-14 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号