06 50N06 70N03 50N03 30N03 5N10 10N10
2021-02-23 15:13
。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图可看出，对于
2011-06-08 10:43
的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有加强型的。场效应晶体管
2018-10-29 22:20
/12V输入的逆变器的前级电路。FHP3205低压MOS管除了可以替换IRF1010E场效应管之外，还能替换行业上的SKT55N100AT、150
2019-09-03 11:28
(on) = 12mΩ(typ)@VGS=10V开关速度快。为什么说FHP50N06是可以直接跟FQP50N06场效应管型号对标使用呢？那是因为其二者之间的参数、特点是
2021-01-23 03:47
06 50N06 70N03 50N03 30N03 5N10 10N10
2021-02-22 14:23
的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率
2009-04-25 15:38
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个
2021-06-29 07:52
电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。 2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。 N沟道增强型MOS
2024-01-30 11:38
小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。 制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧
2021-05-13 06:55
