Mini Circuits 的 KF-24F+ 是一款串联射频适配器,频率为 DC 至 40 GHz,插入损耗为 0.03 至 0.6 dB,温度为 -55 至 100 摄氏度。 
2023-08-25 10:27 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
256)--->EP3C5F256AG6KF256(AG10KF256)--->EP4CE6F17AG10KF256--->EP3C10F256AG10KF256---
2021-11-23 13:38 深圳市致知行科技有限公司 企业号
**KF10N65F-VB MOSFET 产品简介:**KF10N65F-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高电压和中等电流应用。其漏源电压(VDS
2025-09-15 10:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 – KF8N60F-VBKF8N60F-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和高电流应用而设计。该器件具备 650V 的漏极-源极电压
2025-09-15 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、KF4N65F-VB 产品简介 KF4N65F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单通道 N 型 MOSFET,具有高电压承受能力,能够在 650V 的漏极电压 (VDS
2025-09-15 11:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介(KF10N68F-VB)KF10N68F-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压应用设计。其漏源电压(VDS)可达650V,漏极电流(ID)为10A
2025-09-15 10:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 – KF6N60F-VBKF6N60F-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用设计。该器件具备 650V 的漏极-源极电压 (VDS
2025-09-15 11:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、KF5N53F-VB 产品简介 KF5N53F-VB 是一款高性能的单通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装。该器件能够承受高达 650V 的漏极-源极电压
2025-09-15 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、KF4N60F-VB MOSFET 产品简介KF4N60F-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于各种电力和工业应用。这款 MOSFET 具有
2025-09-15 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号