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型号：AT25512<b class='flag-s-7'>N-SH-T</b> 品牌：

AT25512N-SH-T：高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中，可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip（美国微芯）推出的AT25512N-SH-T是一款高性能

2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：15<b class='flag-s-7'>N60L-T47-T</b>-VB 品牌：微碧

### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 产品简介VBsemi 15N60L-T47-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar工艺制造，具有高电压承受能力和低导通电阻。该

2024-07-06 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：18<b class='flag-s-7'>N60L-T47-T</b>-VB 品牌：微碧

VBsemi的MOSFET产品18N60L-T47-T-VB是一款单通道N沟道器件，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3.5V的阈值电压（Vth）。该

2024-07-08 15:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SLD80<b class='flag-s-7'>N06T</b> 品牌：

深圳市三佛科技有限公司 供应60V  80A TO-252 N沟道 MOS管SLD80N06T，原装，库存现货热销SLD80N06T 参数：60V  80A  

2022-11-29 15:44 深圳市三佛科技 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>N50L-T3P-T</b>-VB 品牌：微碧

### 20N50L-T3P-T-VB 产品简介20N50L-T3P-T-VB 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为 TO247。具有较低的导

2024-07-09 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：11<b class='flag-s-7'>N80L-T3P-T</b>-VB 品牌：微碧

### 11N80L-T3P-T-VB TO247 产品简介11N80L-T3P-T-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO247 封装技术。该器件具有 800V

2024-07-05 14:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：22<b class='flag-s-7'>N60L-T3P-T</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：22N60L-T3P-T-VB**VBsemi的22N60L-T3P-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件具有高耐压、低

2024-07-10 10:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SLD60<b class='flag-s-7'>N02T</b> 品牌：

 深圳市三佛科技有限公司供应SLD60N02T美浦森20V60A N沟道TO-252 MOS管品牌：美浦森 型号：SLD60N02TVDS：  20VIDS ：60A

2024-04-30 17:45 深圳市三佛科技 企业号

型号：AM4930<b class='flag-s-7'>N-T</b>1-VB 品牌：微碧

### 一、AM4930N-T1-VB 产品简介AM4930N-T1-VB 是一款双 N+N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装。它具有优秀的电性能和高度集成的特点，适合于需要高效能量转换

2024-12-02 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>N50G-T3P-T</b>-VB 品牌：微碧

### 一、20N50G-T3P-T-VB 产品简介20N50G-T3P-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO3P，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有高压（600V）和高电流

2024-07-09 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号