JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管（FET），场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率
2023-11-07 14:36
当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=β（VGS-VP）2，其中，ID是
2012-07-25 14:53
CMOS器件的输入信号上升时间或下降时间统称为输入转换时间，输入转换时间过长也称为慢CMOS输入。如果输入信号上升时间过长，超过器件手册允许的最大输入转换时间，则有可能
2023-10-31 10:39
通过在级联中增加一个带有线性稳压器的JFET（图1），可以扩展稳压器的输入电压范围。所示稳压器适合电池供电应用，因为无论输出电流水平如何，其CMOS电路的最大电流仅为12μA。芯片的 V在但是，16.5V的限值不包括某些应用。
2023-02-13 15:55
双向晶闸管与单向晶闸管的最重要的区别在于其具有双向电流特性。这意味着在交流电路中，双向晶闸管能够控制电流的方向，从而实现交流电路的控制。双向晶闸管的性能基本上与单向晶闸管相同，但双向晶闸管更加适合用于交流电流控制。
2023-08-26 11:42
利用光互连可以有效地实现宽带、高速和低功耗的数据通信，所以硅光电子集成电路与 CMOS 器件的集成具有较大的市场需求。
2022-09-21 14:17
什么是CMOS与BIOS? CMOS又被称作互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。在计算机领域，
2018-08-31 11:00
虽然增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多，但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。增强型 MOSFET 器件需要能量来供电，而耗尽型器件需要能量“停止”供电，这是它们的主要区别。
2018-05-29 10:40
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiCJFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文将继续讲解并联的挑战。
2025-02-28 15:50
作者 IC_learner 在此特别鸣谢； 今天我就来聊聊基本的器件：CMOS器件及其电路。在后面会聊聊锁存器和触发器。 今天的主要内容如下所示： ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ** ·
2023-01-28 08:16
