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型号：<b class='flag-s-7'>9T15J</b>-VB 品牌：微碧

### 9T15J-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9T15J-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流的应用场合。采用TO251封装，具备30V的漏源极电压额定值

2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9T16J</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性，适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造，能够

2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>9T18J</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合在要求高功率密度和可靠性

2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>9T18J</b>-VB 品牌：微碧

### 9T18J-VB MOSFET 产品简介9T18J-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO251 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压

2024-11-27 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>9T15J</b>-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详述：AP9T15J-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用先进的槽沟技术（Trench）制造。该器件具有高电流承载能力和低导通电阻，适合于需要高功率密度和高效能

2024-12-27 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>9T16J</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介详细：AP9T16J-VB 是一款单路N沟道场效应管，采用先进的Trench技术制造。它适用于中低压电路设计，具有30V的漏极-源极电压（VDS）。该器件在不同的栅极-源极电压

2024-12-27 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SMA6<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

系列型号：SMA6J5.0A、SMA6J6.0A、SMA6J6.5A、SMA6J7.0A、SMA6J7.5A、SMA6

2022-07-26 10:23 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：SMB10<b class='flag-s-7'>J</b> SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB10J7.5A、

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>J</b>7230A <b class='flag-s-7'>J</b>7230B <b class='flag-s-7'>J</b>7231B <b class='flag-s-7'>J</b>7232A 品牌：

OmniBER OTN Communications Analyzer The Keysight J7230A OmniBER OTN 10 Gb/s analyzer offers

2022-08-03 13:31 鸿承仪器 企业号

型号：QPD0009<b class='flag-s-7'>J</b> 品牌：

QPD0009J产品简介Qorvo 的 QPD0009J 是采用 DFN 封装的双通道分立 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 3.4 至 3.6 GHz。该器件是用于 Doherty

2023-05-09 12:14 立年电子科技 企业号