来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现每个硅区的最小电阻。这一优点，加上HexFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固设备设计，为设计者
2019-05-22 08:00
IRLR120NPBF - HEXFET® Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22
IRLR120 - HEXFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22
IRLR120 - Power MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22
IRLR120PBF - HEXFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22
IRLR014N - HEXFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22
IRLR3714Z - HEXFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22
IRLR7843 - HEXFET Power MOSFET - International Rectifier
2022-11-04 17:22
电流值。AON6590(40V，0.99mΩ)电流连续漏极电流ID脉冲漏极电流IDM连续漏极电流IDSM雪崩电流IAS 1 连续漏极电流ID连续漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为电流ID，对于
2016-08-15 14:31
`如何正确理解功率MOSFET的数据表（上篇）.`
2012-08-13 14:24
