要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源,可以替代英飞凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
(典型值),采用SOW-18(宽体)封装, 高达5000Vrms的隔离电压,适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器, 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号