BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源，可以替代英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
电动汽车空调压缩机是热泵空调系统的核心，合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率，从而可以提高整个系统的效率。传统的1200V硅IGBT方案开关损耗较大，散热问题严重，若采用碳化硅MOSFET方案
2023-08-09 10:12 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
MOSFET功率器件具有高频高效的特点，在OBC上使用碳化硅功率器件对于提升OBC的效率和功率密度有较大帮助。OBC车载充电机一般为两级电路，前级为PFC级，即功率因数校正
2023-08-17 10:07 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
