IRF做逆变器，图纸都是差不多的，将两只IRF脚向下，正反面各一只，最外面的两只脚相连接负电，正面中脚串电阻330欧到另一只管的边脚，剩下两只脚也同样串电阻330欧，最后从两个晶体
2019-10-30 11:36
问题1：在功率MOSFET管应用中，主要考虑哪些参数？在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算，通常取多少比较好？相应的PCB设计，铜箔面积布设多大散热会比较好？漏极
2023-12-03 09:30
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2022-12-06 09:14
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet
2015-06-12 09:51
IRF(Intelligent Resilient Framework)是弹性智能架构的简称，是H3C自主研发的一种软件虚拟化堆叠技术。简单来说，就是将多台支持堆叠的设备联合起来，组成一个整体，用户
2023-10-25 10:51
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而
2018-01-22 07:21
高压MOSFET管通过栅极与源极之间的电场控制漏极与源极之间的电流，实现高效功率开关功能。
2025-03-24 14:12
HMC510LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC510LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出
2025-04-30 09:28
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51
