IRF510 - 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET - Intersil Corporation
2022-11-04 17:22
IRF510S - Power MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22
IRF510 - 4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs - Harris Corporation
2022-11-04 17:22
IRF510PBF - Power MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22
对此问题加以解决，然后才能在此基础上对控制器进行设计。● 功率MOSFET的开关特性---IRF840 MOSFET电力场效应晶体管在导通时只有一种极性的载流子(多数载
2012-06-14 20:30
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-17 15:47
`MOSFET管经典驱动电路设计大全`
2012-08-06 12:23
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
2023-03-29 11:00
。数据表中ID只考虑导通损耗，在实际的设计过程中，要计算功率MOSFET的最大功耗包括导通损耗、开关损耗、寄生二极管的损耗等，然后再据功耗和热阻来校核结温，保证其结温小于最大的允许值，最好有一定的裕量
2016-08-15 14:31
