IGBT（绝缘栅双极晶体管）漏电流增加的原因有多种，以下是对这些原因的分析： 正向电压的增加 ：当IGBT的控制极压加上一定的电压时，例如正向电压，漏结区就会被压缩。这时候漏极和源极之间就会产生一个
2023-12-13 16:01
今天阅读了最感兴趣的部分——芯片制造过程章节，可以用下图概括： 芯片的制造工序可分为前道工序和后道工序。前道工序占整个芯片
2024-12-30 18:15
驱动系统总漏电流由驱动器本身漏电流、电机电缆线漏电流、电机漏电流组成。驱动系统漏电流大小取决于驱动器逆变
2023-05-17 10:19
霍尔IC芯片的制造工艺霍尔IC传感器是一种磁性传感器，通过感应磁场的变化，输出不同种类的电信号。霍尔IC芯片主要有三种制造
2016-10-26 16:48
提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学，对
2018-01-16 15:59
优化。下面将详细介绍贴片电容漏电流的原因和应对措施。 一、贴片电容漏电流的原因 1. 贴片电容本身的材料和制造工艺问题：电容器材料的选择、
2024-02-03 14:37
芯片制造全工艺流程详情
2020-12-28 06:20
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动
2023-02-20 18:13
