IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算
2019-08-13 08:04
我用IGBT设计了D类功放，用的管子是FGH60N60SFD，开关频率为300kHz，上网查资料发现IGBT的开关损耗为图中公式，查找FGH60N60SFD文档后
2019-07-25 10:16
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑 MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什
2017-05-31 10:04
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01
IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。
2020-03-24 09:01
开关损耗的妥协，反之亦然。因此，针对特定操作优化的单个模块无法在整个操作窗口中为不同的应用需求提供一站式解决方案。传统上，半导体制造商提供任何电压电平的一个模块，以适应许多应用，在标称条件下工作。这种
2023-02-27 09:54
开关MOS的损耗如何计算？
2021-03-02 08:36
算法，可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量，与传统的连续调制SVPWM相比，在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-12 07:36
功率器件损耗主要分为哪几类？什么叫栅极电荷？开关损耗和栅极电荷有什么关系？
2021-06-18 08:54
