全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体
2023-02-08 13:43
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类。
2023-03-26 16:18
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块
2023-02-24 11:51
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的
2022-10-19 10:39
IGBT模块关断截止时，I(t)≈0，损耗的功率可忽略。为了便于分析，将IGBT损耗分为导通
2024-05-31 09:06
1、CCM 模式开关损耗 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(
2024-01-12 09:07
MOS 管的开关损耗对ＭOS 管的选型和热评估有着重要的作用，尤其是在高频电路中，比如开关电源，逆变电路等。
2023-07-23 14:17
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51
MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗
2023-02-09 10:19
