0 引言 绝缘栅型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由MOSFET和功率双极型晶体管复合而成的一种器件。IGBT既具有MOSFET的高速开关
2023-02-22 15:19
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的
2017-03-06 15:19
大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级IGBT 驱动器的设计计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准。
2021-07-26 14:41
过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部
2017-02-24 15:05
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级
2019-02-03 21:00
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断
2021-10-29 07:10
功率开关管功耗计算方法
2019-04-12 12:27
最实用的开关电源变压器计算方法与步骤,需要完整版的朋友可以下载附件保存哦~
2021-08-19 11:05
最实用的开关电源变压器计算方法与步骤，需要完整版的朋友可以下载附件保存~
2022-03-15 10:54
