的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/3
2018-11-27 16:37
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
、 IGBT的关断损耗计算 同理设开关频率为Fsw情况下，那么直接计算损耗
2023-02-24 16:47
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算
2019-08-13 08:04
通过程的损耗能量Pon表示导通过程的平均损耗功率（有功功率）Vds、Id分别表示瞬时电压和电流Ts表示开关周期t0、t1表示导通过程的开始时间与结束时间关闭过程损耗关闭
2021-11-18 07:00
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块
2018-12-04 10:14
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21
公式计算：同样，关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多时，A管的
2017-03-06 15:19
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* •
2022-07-27 10:27
大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级IGBT 驱动器的设计计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准。
2021-07-26 14:41
