IGBT损耗计算和损耗模型研究：器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。
2009-06-20 08:33
器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要遥损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的
2011-09-01 16:38
时，MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。2. MOS管的损耗来源2.1 MOS开关损耗MOS
2021-07-29 06:01
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑 本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20
计算公式 （1）有功损耗： ΔP=P0+KTβ2PK-------（1） （2）无功损耗：ΔQ=Q0+KTβ2QK-------（2） （3）综合功率损耗：ΔP
2020-06-19 16:06
及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT 和驱动器损坏。以下总结了一些关于IGBT驱动器输出性能的计算方法以供选型时参考
2012-07-25 09:49
大功率IGBT 在使用中驱动器至关重要，本文给出了不同功率等级IGBT 驱动器的设计计算方法，经验公式及有关CONCEPT 驱动板的选型标准。
2021-07-26 14:41
电源工程师知道，整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗，因为这两种损耗与传导损耗或驱动
2021-10-29 08:43
。 从下面图中可看出详细的栅极电流和栅极电压，CE电流和CE电压的关系： 从另外一张图中细看MOS管与IGBT管栅极特性可能更有一个清楚的概念： 开启过程 关断过程 尝试去计算
2011-08-17 09:26
