通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题，工程师需要依据实际情况进行比
2018-05-22 09:19
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在
2015-01-14 17:10
1.概述 電路板品質的好壞，問題的發
2006-04-16 21:15
之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒
2023-05-25 17:24
如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应？ 米勒电容是指由电路中存在的电感所形成的电容。它可以导致电路中的寄生导通效应，从而影响电路的性能。常见的一种解决
2023-09-05 17:29
使用IGBT时，面临的常见问题之一是由于米勒电容器而导致的寄生导通。在0至+15 V型栅极驱动器（单电源驱动器）中，这种影响是明显的。
2021-05-17 07:31
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在
2021-03-15 15:01
米勒电容对IGBT关断时间的影响 IGBT，即绝缘栅双极性晶体管，是一种高效、高稳定性的半导体器件。它是一种功率开关元件，能够控制大电流和高电压的开关。IGBT的关断
2023-09-05 17:29
米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。
2019-02-04 11:17
关于IGBT的内部寄生参数，产品设计时对IGBT的选型所关注的参数涉及到的寄生参数考虑的不是很多，对于其标称的电压、电流和损耗等关注的比较多。当然针对不同的应用场合，所
2021-06-12 10:29
