通常情况下，为了防止出现寄生IGBT通道的情况发生，国内通常有两种解决办法。第一个办法是为配置添加门极和发射极之间的电容，第二是通过使用负门极驱动。如果使用第一方案，那么很容易造成效率的降低，而第二个方案则需要考虑到额外费用和成本问题，工程师需要依据实际情况进行比
2018-05-22 09:19
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在
2021-03-15 15:01
米勒效应在单电源门极驱动过程中非常显著。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这里存在着潜在的风险。
2019-02-04 11:17
关于IGBT的内部寄生参数，产品设计时对IGBT的选型所关注的参数涉及到的寄生参数考虑的不是很多，对于其标称的电压、电流和损耗等关注的比较多。当然针对不同的应用场合，所
2021-06-12 10:29
清除通过SDWebImage进行的缓存;Sdwebimage手动清除缓存方法;iOS SDWebImage清空缓存新方法.
2017-11-09 14:38
在描述米勒平台（miller plateau）之前，首先来看看“罪魁祸首”米勒效应（miller effect） 。
2019-02-02 17:08
总结一下，对于米勒电流引起的寄生导通，在0V关断的情况下，可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引起的寄生导通时，如果
2022-05-12 11:57
IGBT模块的原理及测量判断方法 GBT模块的原理及测量判断方法 本文以介绍由单只 IGBT 管子或双管做成的逆变模块及其有关测盈和判断好坏的
2018-05-18 13:12
一些测试IGBT的简单方法
2020-06-19 10:19
在关断IGBT过程中，IGBT电流急剧变化，由于有寄生电感的存在，会在IGBT上产生电压尖峰 Vce（peak） = Vce + L * di/dt，如图1所示。
2021-03-15 15:39
