IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41
功率循环加速老化试验中，IGBT 器件失效模式 主要为键合线失效或焊料老化，失效模式可能存在 多个影响因素，如封装材料、器件结构以及试验条 件等。
2024-04-18 11:21
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物
2024-08-08 09:46
IGBT热阻的研究对于延长IGBT的使用寿命和提高其应用可靠性具有重要的现实意义，目前获取IGBT热阻参数的试验方法多为热敏参数法，该方法方便简洁、对硬件要求低，但是传统的热敏参数法需要测量
2021-04-29 09:15
超高压 SiC N 沟道 IGBT 器件元胞的基本结构如图 1 所示。N+ 区域定义为源区，相应的电极称为发射极（Emitter）。背面 P+ 区域定义为漏区，相应的电极称为集电极（Collector）。
2022-06-17 09:25
根据施敏教授的拆分理论，器件由4个基本单元组成。
2023-11-29 15:13
功率器件分为泛材类器件与IGBT器件两类，IGBT器件是开关
2023-11-08 11:49
IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢？IGBT模组静态参数测试需要的仪器是一系列的
2021-11-16 17:17
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极晶体管的简称，其由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件，是实现电能转换的核心
2023-09-22 16:54
