IGBT器件是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，是通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41
功率循环加速老化试验中，IGBT 器件失效模式 主要为键合线失效或焊料老化，失效模式可能存在 多个影响因素，如封装材料、器件结构以及试验条 件等。
2024-04-18 11:21
摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器 件低饱和导通压降优点的问题，设计了 p 柱浮空的超结 IGBT
2023-08-08 10:20
车用IGBT器件技术概述
2023-08-08 10:00
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物
2024-08-08 09:46
本文章主要讲述五种主流器件：BJT,SCR,JFET,MOSFET,IGBT的器件工作原理，为阻态，开通，通态以及关断其器 件内部的原理，从而更好的了解器件工作，更好
2023-02-23 10:08
IGBT热阻的研究对于延长IGBT的使用寿命和提高其应用可靠性具有重要的现实意义，目前获取IGBT热阻参数的试验方法多为热敏参数法，该方法方便简洁、对硬件要求低，但是传统的热敏参数法需要测量
2021-04-29 09:15
超高压 SiC N 沟道 IGBT 器件元胞的基本结构如图 1 所示。N+ 区域定义为源区，相应的电极称为发射极（Emitter）。背面 P+ 区域定义为漏区，相应的电极称为集电极（Collector）。
2022-06-17 09:25
根据施敏教授的拆分理论，器件由4个基本单元组成。
2023-11-29 15:13
