IGBT的双脉冲测试(Double Pulse Test)-Micro_Grid，欢迎加入技术交流QQ群：电力电子技术与新能源 905724684，关注微信公众号：电力
2019-06-29 09:40
）及全控型（IGBT、MOSFET 为主）。其中IGBT（绝缘栅双极晶体管）被广泛应用于中、高电压及大电流场合的功率半导体器件。它综合了 MOSFET和双极晶体管的优点，具有导通压降低、开关速度快、电流和电压定额高等特点，被广泛应用于变频
2024-11-24 15:02
一般，我们是通过阅读器件厂商提供的datasheet来了解一个器件的参数特性，但是datasheet中所描述的参数是在特定的外部参数条件测试得来的，因此这些参数不能都可以直接拿来使用的。因此可以通过双脉冲
2022-06-17 17:33
双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32
双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55
对于经验丰富的专业人士来说，不言而喻的事情有时可能会给经验不足的人带来误解。作为测试设备制造商，我们意识到用户对双脉冲测试有不同的看法。
2024-03-11 14:39 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
宽禁带半导体作为第三代半导体功率器件，在电源处理器中充当了越来越重要的角色。其具有能量密度高、工作频率高、操作温度高等先天优势，成为各种电源或电源模块的首选。而其中功率半导体上下管双脉冲测试，成为动态参数
2024-08-06 17:30
进行双脉冲测试的主要目的是获得功率半导体的开关特性，可以说它伴随着功率器件从研发制造到应用的整个生命周期。
2023-07-12 16:09
