H桥IGBT功率单元 本文中的实验装置是一台单相 H 桥IGBT 功率单元，其拓扑结
2010-02-22 10:18
大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的IGBT单管，比同样电流容量的MOSFET脆弱多了，也就是说，在逆变H桥里头，MOSFET上去没有问题，但是IGBT上
2011-12-29 17:22
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为电力电子领域中至关重要的元件，其关断过程的分析对于理解其性能和应用至关重要。IGBT结合了双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（MOSFET）的优势，具有导通特性好
2024-07-26 18:03
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的开关过程是其作为电力电子器件核心功能的重要组成部分，直接决定了电力变换系统的效率、稳定性和可靠性。以下是对IGBT开关过程的详细分析，包括开启过程和关断过程，以及影响这些过程的关键因素
2024-07-26 17:31
上一章我们对IGBT稳态的分析中，在IGBT的大注入条件下，电子和空穴的运动相互影响，这个影响关系需要用双极性扩散系数来描述。
2023-12-01 10:33
这几天沉下心来专门给逆变器的后级，也就是大家熟悉的H桥电路换上了IGBT管子，用来深入了解相关的特性。 大家都
2021-03-30 14:00
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种功率半导体器件，它是由多个IGBT芯片、反并联二极管、驱动电路、保护电路等组成的集成模块。IGBT模块通常根据结构、电压、电流、
2023-02-20 17:32
晶闸管（Thyristor）与绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）作为电力电子领域中的关键器件，各自具有独特的性能特点和应用场景。以下是对两者性能的详细分析，内容涵盖工作原理、电气特性、应用优势及局限
2024-08-27 14:09
应用检测IGBT集电极电压的过流保护原理 图10是应用检测IGBT集电极电压的过流保
2009-01-21 13:18
功率电子器件是PCS的核心组成部分，主要实现电能的转换和控制。而IGBT就是最为常用的功率器件，今天我们主要来学习IGBT。
2023-11-22 09:42
