以下是VBsemi公司的MOSFET产品05N50I-VB的详细信息:1. 产品简介: 05N50I-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,采用
2024-07-03 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP05FN50I-VB 产品简介AP05FN50I-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,封装在TO220F中。该器件设计用于高压应用,具有较高的额定漏源电压和较大的导
2024-12-13 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP05N50I-HF-VB 产品简介**型号:** AP05N50I-HF-VB **封装:** TO220F **配置:** 单N沟道MOSFET  
2024-12-16 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP05N50I-VB 是一款高性能的单N-沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。该器件专为高效功率转换和高可靠性应用而设计,具备650V的耐压和7A的持续电流能力
2024-12-16 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP05FN50I-HF-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用Plannar技术,设计用于高压应用场合。其TO220F封装使其适用于需要高功率管理和稳定性能的电子设备和系统
2024-12-13 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是您请求的信息:**产品简介:**VBsemi的05FN50I-VB是一款TO220F封装的单N沟道场效应管。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,±V
2024-07-02 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
SD05/SD05C系列通用TVS二极管阵列 SD05 Uni/BidirectionalSD05C TVS Diodes S
2023-03-03 09:44 常州鼎先电子有限公司 企业号
ESD05V88D-LA是为保护高速数据接口而设计的低电容TVS阵列。该系列是专门为保护连接到高速数据和传输线上的敏感元件而设计的,以防止由ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和EFT(电气
2023-01-03 11:53 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
5 V低电容 TVS二极管阵列,用于高速数据接口功能 LCDA05LCDA系列低电容TVS二极管阵列, 用于高速数据连接。该器件设计用于保护敏感电子设备免受ESD或其他
2022-05-17 20:27 常州鼎先电子有限公司 企业号