恩智浦发布业界最低RDSon的30V MOSFET-PSMN1R0-30YLC 中国上海，2010年12月6日讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.
2010-12-19 10:36
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封装,P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充
2010-09-20 08:59
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiS
2024-03-12 10:38
带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET(ON) 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充
2010-04-10 10:32
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、
2024-02-22 17:11
安森美推出带集成肖特基二极管的30V 扩充N沟道功率MOSFET 安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N
2010-04-12 10:23
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET
2023-11-09 17:39
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N
2023-11-08 16:22
新洁能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET产品是基于传统沟槽式MOSFET的改进版本，其出色的导
2024-11-30 09:18
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于
2022-11-18 11:28
