型号: PSMN017-80BS-VB丝印: VBL1806品牌: VBsemi参数:- 封装: TO263- 沟道类型: N-Channel- 最大电压(Vds): 80V
2024-02-03 10:40 微碧半导体VBsemi 企业号
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorv
2024-02-26 19:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、AP30N30W-VB 产品简介AP30N30W-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用了沟槽技术,封装为TO3P。它具有高达250
2024-12-17 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10N10EL-VB 产品简介:10N10EL-VB 是一款单路 N-沟道场效应管,采用 TO252 封装,主要特点包括:- **VDS(漏极-源极电压)**:
2024-07-04 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介30N30W-VB 是一款由 VBsemi 生产的单通道 N 型 MOSFET,采用 TO3P 封装。该器件具有高漏源电压和低导通电阻,适用于高功率开关和电源管理应用。### 详细
2024-11-04 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号