MSAT-P25PIN 二极管衰减器分流元件宽带、高线性中等功率分流 PIN 衰减器元件 1.9 X 1.1 mm DFN 封装。该器件专为无线电信基础设施和测试仪器应用而设计。它还适用于 0.1
2023-02-23 16:34 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MGV100-25-P55MACOM 的 MGV100-25-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 2.4 至 4.6、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000
2023-04-03 13:35 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MGV125-25-P55MACOM 的 MGV125-25-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 3.6 至 9.3、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000
2023-04-10 16:48 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 25P03L-VB 产品简介25P03L-VB 是一款单 P-沟道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO252。具有较低的导通电阻和适中的漏极电流承载能力，适用于需要
2024-07-10 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：25P03LG-VB丝印：VBE2338品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-30V- 最大漏电流：-26A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ @ 10V, 46m
2023-12-18 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
型号： NCE60P25K-VB丝印： VBE2658品牌：VBsemi参数说明：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-22A- 导通电阻：48mΩ@10V, 57m
2023-12-13 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号
MACOM 的 MGV125-25-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 3.6 至 9.3、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000 的变容二极管。标签：表面
2022-09-20 10:31 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
型号：UTT25P10L-VB丝印：VBM2102M品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-100V- 额定电流：-18A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：167m
2023-12-21 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
