HMC7441是一款三级GaAs pHEMT功率放大器，工作频率范围为27.5至31 GHz。 该放大器的增益为23 dB，饱和输出功率为+34 dBm，PAE为25%，电源电压为6V
2025-03-21 11:46
HMC362S8G和HMC362S8GE均为低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。此器件在DC（使用方波输入）至12 GHz的输入频率下工
2025-04-17 10:18
HMC754S8GE是一款GaAs/InGaP HBT双通道增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至1 GHz。 该多功能产品包含采用8引脚塑料SOIC-8单封装的两个增益模块，与采用
2025-03-21 14:05
ADuM7440/ADuM7441/ADuM7442均为采用ADI公司iCoupler®技术的4通道数字隔离器。这些隔离器件结合了高速CMOS与单片空芯变压器技术，可提供出色的性能特性，优于光耦器件和其它集成式耦合器。
2025-06-05 14:39
HMC361S8G(E)是一款低噪声2分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至10 GHz的输入频率下工作，使用+5.0V DC
2025-04-17 09:53
HMC365S8G(E)是一款低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC（使用方波输入）至13 GHz的输入频率下工作，使用+5V DC单
2025-04-17 11:07
霍尼韦尔 HMC5883L 是一种表面贴装的高集成模块，并带有数字接口的弱磁传感器芯片，应用于低成本罗盘和磁场检测领域。HMC5883L 包括最先进的高分辨率HMC118X系列磁阻传感器，并附带霍
2018-03-08 10:49
霍尼韦尔 HMC5883L 是一种表面贴装的高集成模块，并带有数字接口的弱磁传感器芯片，应用于低成本罗盘和磁场检测领域。HMC5883L 包括最先进的高分辨率HMC118X系列磁阻传感器，并附带霍
2018-03-08 10:32
S参数（Scattering Parameters），也称为散射参数，是描述多端口网络电气特性的基本工具。它们主要用于表征网络的反射和传输特性，提供关于网络性能的关键信息，如增益、损耗、匹配度等，在射频（RF）、微波工程、高速数字电路设计以及通信系统中广泛应用。
2024-12-10 10:29
HMC642A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差
2025-04-09 11:29
