HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc
2025-04-01 13:57
HMC566LP4E是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为28至36 GHz。 HMC566LP4E提供21 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数
2025-03-20 15:55
HMC980LP4E是一款有源偏置控制器，可自动调整外部放大器的栅极电压，从而实现恒定的偏置电流。 HMC980LP4E集成控制器，实现了安全的电源开/关、禁用/使能和自动供电序列，从而保证外部
2025-03-21 15:50
dBc的镜像抑制性能。 HMC967LP4E采用LNA，后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I和Q混频器输出
2025-04-02 16:10
HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为24至36 GHz，采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成，采用3 V
2025-03-19 15:41
HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为0.7至1.1 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA
2025-04-02 14:27
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm
2025-03-21 15:14
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ
2025-03-21 15:00
HMC920LP5E是一款有源偏置控制器，可生成调节漏极电压并主动调节外部放大器的栅极电压，实现恒定偏置电流。 该器件可用来偏置任何工作在A类的增强型和耗尽型放大器，漏极电压(VDRAIN)范围为3V至15V，漏极电流(IDRAIN)最高500mA，提供完整的偏置解决方案。
2025-03-21 15:26
HMC981LP3E是一款有源偏置控制器，可自动调整外部放大器的栅极电压，从而实现恒定的偏置电流。 它可用于为A级区（漏极电压为4V至12V，漏极电流最大为200mA）的增强和耗尽型放大器提供合适的偏置，提供了完整的偏置解决方案。
2025-03-21 15:55
