HMC407MS8G(E)InGaP HBT功率放大器SMT，5 - 7 GHzHMC407MS8G(E)特性增益： 15 dB饱和功率： +29 dBm28% PAE电源电压： +5V省电功能无需
2024-03-25 09:49 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
： +5VS8G SMT封装HMC363S8G和HMC363S8GE均为低噪声8分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。此器件在D
2024-03-25 10:10 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
HMC438MS8G SMT GaAs HBT MMIC 5 分频，DC - 7 GHz 特性SSB 相位噪声：-153 dBc/Hz @100KHz宽带宽输出功率：-1 dBm直流单电源
2024-03-25 09:50 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
HMC6301BG46P7HMC6301BG46P7: Analog Devices V频段RF接收器在现代无线通信系统中，RF接收器是信号接收和处理的关键组件。Analog Devices推出
2024-11-07 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
：+5VS8G SMT封装HMC362S8G和HMC362S8GE均为低噪声4分频静态分频器，使用InGaP GaAs HBT技术，采用8引脚表贴塑料封装。此器件
2024-03-25 10:09 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号：2SJ607-Z-VB**2SJ607-Z-VB是一款采用TO-263封装的单P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品具备高电流能力和低导通电阻的特点
2024-07-15 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC1197是一款集成小数N分频PLL和VCO RFIC的低成本、高线性度直接正交调制器，非常适合0.1至4.0 GHz的数字调制应用，包括：蜂窝/3G、LTE/WiMAX/4G、宽带无线接入
2022-11-14 09:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**型号：2SJ607-VB**2SJ607-VB 是由 VBsemi 生产的一款高性能单 P 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高
2024-07-15 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
ADCMP606和ADCMP607均为极快型比较器，采用ADI公司的专有XFCB2工艺制造。这些比较器具有极其丰富多样的功能特性，并且易于使用，具体包括：输入范围从VEE − 0.5 V至
2023-06-28 15:03 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
HMC435AMS8G(E)SPDT非反射式开关，DC - 4 GHzHMC435AMS8G(E)特性高隔离度： 62 dB（1 GHz时） 52 dB（2 GHz时）正控制： 0/+5V输入IP3
2024-03-25 09:48 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
