IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET®
2010-03-12 10:28
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-
2010-07-22 09:29
采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率
2010-03-12 11:10
IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率
2009-08-18 12:00
图所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞（cell）。正因为原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它称为HEXFET
2009-07-27 09:42
IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 （RDS（on）） 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池
2020-08-30 08:33
此HEXFET功率MOSFET专门设计用于维持能量恢复和通过开关应用在等离子显示面板中。此MOSFET利用最新处理技术实现对每个硅区域和低脉冲的电阻。此
2019-06-17 14:53
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等
2012-04-25 09:34
功率MOSFET为多单元集成结构，如IR 的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列
2022-10-07 10:39
