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型号：<b class='flag-s-7'>H7N0607DS</b>90TL-VB 品牌：微碧

一、产品简介：H7N0607DS90TL-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管，具有60V的漏极-源极电压额定值，能够承受最大45A的电流。其特点包括低导通电阻（RDS(ON)）为24mΩ，在

2024-06-01 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>H7N0607</b>DSTL-VB 品牌：微碧

以下是针对H7N0607DSTL-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明：### 产品简介H7N0607DSTL-VB是一款N沟道场效应管，由VBsemi品牌生产。该器件具有

2024-06-01 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>H7N0607</b>DSTL-E-VB 品牌：微碧

以下是关于H7N0607DSTL-E-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的说明：**产品简介：**H7N0607DSTL-E-VB是VBsemi品牌推出的N-Channel沟道功率

2024-06-01 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4<b class='flag-s-7'>N0607</b>-VB TO263 品牌：微碧

### 一、4N0607-VB TO263 产品简介4N0607-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。该产品具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电力管理和开关

2024-11-13 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：3<b class='flag-s-7'>N0607</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介**型号：3N0607-VB**3N0607-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术制造。该器件封装在TO-252封装中，具有60V的漏源电压和58A的漏极

2024-11-06 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4<b class='flag-s-7'>N0607</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 产品简介**型号：4N0607-VB TO220**4N0607-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于各种中高功率应用。该器件采用

2024-11-13 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4<b class='flag-s-7'>N0607</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介**型号：4N0607-VB****封装：TO252****配置：单N沟道**4N0607-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制

2024-11-13 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2<b class='flag-s-7'>N0607</b>-VB TO262F 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的2N0607-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装在TO262F中。这款MOSFET适用于高电流高效率的开关应用，具有低导通电阻和高漏极

2024-07-11 14:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>DS1921H</b>-F5# 品牌：

Thermochron® iButton®器件(DS1921H/Z)是一种牢固、配备齐全的系统，可以测量温度并将结果记录于保护的存储区。记录速率由用户定义，可以按温度值直接存储，也可以以

2023-07-14 10:49 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：DMN24<b class='flag-s-7'>H11DS</b> 品牌：

DMN24H11DS 产品简介DIODES 的 DMN24H11DS 这种新一代MOSFET的设计目的是将导通电阻（RDS（on）），同时保持卓越的切换性能，使其成为高效电源管理的理想选择

2023-07-06 16:27 立年电子科技 企业号