CLF3H0060S-10 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管,可在 DC
2024-02-29 20:35 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
CLF3H0060S-30 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管
2024-02-29 20:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
CLF3H0035S-100 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、无与伦比的宽带 GaN HEMT 晶体管
2024-02-29 20:31 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号:IRF540S-VB丝印:VBL1104N品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 额定电压:100V- 最大持续电流:45A- 静态导通电阻 (RDS(ON)):32mΩ @ 10V
2023-12-20 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号