以下是RTQ045N03TR-VB的产品信息：### 产品简介RTQ045N03TR-VB是VBsemi品牌生产的N-Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。该器件具有单个
2024-06-14 14:27 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是RSQ020N03TR-VB的产品信息：### 产品简介RSQ020N03TR-VB是VBsemi品牌生产的N-Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。该器件具有单个
2024-06-14 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件，它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻，适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：QS6M4TR-VB品牌：VBsemi丝印：VB5222参数说明：- 沟道类型：2个N+P—Channel沟道- 最大工作电压：±20V- 最大电流：7A / -4.5A- 开态电阻：20m
2024-06-12 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**RTQ035N03TR-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管，具有单个N沟道。该晶体管适用于中功率电子应用，采用SOT23-6封装，适合在空间受限的电路中使用。具有30V的漏
2024-06-14 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号
如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 SY89321LMG-TR 产品概述 SY89321LMG-TR是Microchip
2025-02-10 21:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
**产品简介：**RSQ035N03TR-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管，具有单个N沟道。该晶体管适用于中功率电子应用，采用SOT23-6封装，适合在空间受限的电路中使用。具有30V的漏
2024-06-14 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**RUQ050N02TR-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET，具有30V的额定电压和6A的额定电流。在10V的门极电压下，其导通电阻为30mΩ。该器件采用
2024-06-14 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**RTQ020N03TR-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET，具有30V的额定电压和6A的额定电流。在10V的门极电压下，其导通电阻为30mΩ。该器件采用
2024-06-14 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
一、产品简介：IPD230N06NG-VB是一款N沟道场效应管，由品牌VBsemi生产。该器件具有60V的漏极-源极电压额定值，能够承受最大45A的漏极电流。其导通状态下的导通电阻（RDS
2024-06-03 17:25 微碧半导体VBsemi 企业号
