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型号：5805<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**：TO252- **器件配置**：单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**：40V- **栅极-源极

2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4854<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

，适用于高功率电子设备和电源管理应用。### 4854NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压

2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4969<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO252。该MOSFET具有低导

2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5802<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

，适合于要求高性能和低导通电阻的应用场合。### 5802NG-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **漏极-源极电

2024-11-14 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5407<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

，适合于中高功率应用场合。### 5407NG-VB 详细参数说明- **封装形式**: TO252- **配置**: 单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS

2024-11-14 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4910<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

理能力，适合要求高电流和低导通电阻的应用设计。### 详细参数说明- **型号**: 4910NG-VB- **封装**: TO252- **配置**: Sing

2024-11-12 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4913<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

高功率和高效率的电源管理和功率转换应用。### 4913NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源

2024-11-12 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4809<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

高功率电子设备和电源管理应用。### 4809NG-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**：TO252- **配置**：单N沟道- **漏源电压 (V

2024-11-11 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：5865<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

说明- **型号：5865NG-VB**- **封装类型：TO252**- **配置：单N沟道**- **漏源电压 (VDS)：60V**- **栅源电压 (VGS)：±20V**- **

2024-11-14 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4865<b class='flag-s-7'>NG</b>-VB 品牌：微碧

### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中，具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽（Trench

2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号