MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一种新型的非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器
2023-04-19 17:45
半导体产业正在迎来下一代存储器技术的新纪元，几大主要变化趋势正在成形。这其中包括磁性随机存储器 （MRAM） 的出现。我将在几篇相关文章中介绍推动MRAM 得以采用的背景，重点说明初始阶段面临的一些挑战，并探讨实现 STT
2018-05-29 15:42
IMEC进行了设计技术协同优化（DTCO），以确定5nm节点上STT-MRAM单元的要求和规格，并得出了一个结论，高性能STT-MRAM位单元的MRAM间距是45nm接触栅极间距的两倍，是5nm最后
2018-12-18 15:33
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。 半导体行业著名机构IMEC在
2019-04-22 15:51
FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取时间的周期。
2020-06-04 17:09
在IBM新一代的FlashSystem存储设备中，将利用磁阻RAM（MRAM）来做写缓存，而不再使用传统的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一，但
2018-12-02 09:31
长久以来，我们这些缺乏耐性的人，一直期待着所有消费电子产品的开机时间能尽量缩短，愈快愈好。刚刚才打入消费市场的固态硬盘（SSD），已经能大幅缩减用户等待开机或将机
2012-04-13 09:33
40GE/100GE速率高，40GE/100GE的PMA(物理媒质附属)子层和PMD(物理媒质依赖)子层与10GE相比有较大变化，40GE/100GE的MAC与PHY的接口由原来的XGMII接口演变成XLGMI接口(40GE)和CGMII(100GE)，XLGMII/CGMII接口容量由10G提高到40G和100G，数据通道位宽由32bit增加到64bit，同时PHY(物理层)的层次结构上多了FEC(前向纠错)功能子层。
2017-12-08 08:18
10G EPON按照速率分为两类，分别为非对称模式（下行速率为10Gbit/s，上行速率为1Gbit/s）和对称模式（下行速率为10Gbit/s，上行速率为10Gbit
2018-12-13 09:59
Altera推出40Gbit/s以太网路(40GbE)和100Gbit/s以太网路(100GbE)矽智财(IP)核心产品。这些核心能高效率的建构需大传输量标准以太网路连接的系统，包括晶片至光模组、晶片至晶片及背板应用等
2012-07-22 12:31
