。与更传统的AlGaN/GaN形式的III-N HEMT相比，AlN/GaN HEMT不存在合金散射，且具备高得多的二维
2025-06-12 15:44
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势，但同时也存在一些缺点。以下是对GaN
2024-08-15 11:09
。由于这些优势，GaN HEMT在射频功率放大器、微波通信、雷达、卫星通信和电源应用等领域被广泛采用。 然而，GaN HEMT
2023-12-07 17:27
报告内容包含： 微带WBG MMIC工艺 GaN HEMT 结构的生长 GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06
2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，
2022-09-19 09:33
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料
2022-09-27 10:30
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例总结 本文档基于GaN HEMT的实测特性描述了当前版本的模型。该模型专为与PSpice和LTspice配合使用而开发。本
2025-03-11 17:43
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料
2022-02-10 15:27
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模块/模组 一、核心器件定义 IGBT（绝缘栅双极型晶体管） 电力电子领域核心开关器件，通过栅极电压控制导通状态：
2025-05-26 14:37
IR-HiRel氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得GaN-HEMTs成为功率半导体器件的研究热点。与硅MOSFET相比，
2021-08-27 11:40
