2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，
2022-09-19 09:33
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料
2022-09-27 10:30
由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而来的高电子迁移率晶体管(HEMT)是
2023-06-14 14:00
硅基半导体经过多年发展，其性能逐渐接近极限，在进一步降本增效的背景下，第三代宽禁带半导体氮化镓功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38
晶体管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的测量工具和 技术，进而呈现器件性能的优劣。综述了 GaN HEMT 外延材料的表征技术，详细介绍了几种表 征技术的应用场景和近年来国内外的相关
2023-02-20 11:47
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层
2023-02-14 09:31
第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性理论，器件的工作温度、性能及可靠性有着极为密切的联系，因此准确检测GaN
2023-02-13 09:27
氮化镓具有许多内在材料优势，如宽能隙和高电子迁移率。当用作横向高电子迁移率晶体管(HEMT)器件时，这些特性可用于获得功率转换性能优势，因为其无反向恢复损失且电容相对较小。随着这项技术在更广
2024-04-18 11:49 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——硅相比，具有更优异的物理性能，目前利用其高频特性的应用已经开始增加。
2022-04-06 16:33
