最大限度的提高GaN HEMT器件带来的好处直到最近MOSFET和IGBT器件相比GaN
2019-07-16 00:27
目前传统硅半导体器件的性能已逐渐接近其理论极限， 即使采用最新的硅器件和软开关拓扑，效率在开关频率超过 250 kHz 时也会受到影响。 而增强型氮化镓晶体管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27
如果基于GaN的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量GaN器件方面正在做什么？ GaN高电子迁移率晶体管（
2020-09-23 10:46
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21
电流情况下GaN HEMT的开关损耗约为MOSFET的10-30%，与MOSFET相比IGBT在高频率下表现出更低的开关损耗，但是效率仍然比
2019-07-16 20:43
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27
为了满足数据中心快速增长的需求，对电源的需求越来越大更高的功率密度和效率。在本文中，我们构造了一个1.5 kW的LLC谐振变换器模块，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48
