对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于GaN FET
2022-08-04 09:58
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影
2015-11-08 18:00
在过去几年里，GaN技术，特别是硅基GaN HEMT技术，已成为电源工程师的关注重点。该技术承诺提供许多应用所需的大功率高性能和高频开关能力。然而，随着商用GaN FET
2023-02-09 09:34
指标。为了提高电源的效率，80 PLUS钛金级电源的设计人员正在寻找650 V GaN FET，实现更小、更快、更凉、更轻的系统，同时降低总体系统成本。
2023-02-08 09:17
。对于当今的大电流、高功率应用和650 V GaN功率场效应晶体管，通常需要更高效的器件散热方式，甚至已成为强制性的要求。因此，顶部散热方式的 CCPAK封装，可以提供更佳散热性能。
2023-02-09 09:32
功率GaN技术已证明可为电源转换带来出色的效率。但对于汽车应用这样的市场，解决方案还需要出色的耐用性，才能确保高质量和可靠性。我们必须证明，Nexperia的GaN技术不但可以在高电压和高温下提供操作耐用性，还能在生产中兼顾质量、可靠性和可扩展性，以便成功地投入大
2023-02-09 09:36
在LiDAR系统中，脉冲激光器的开关速度和上升时间直接影响着LiDAR的测量精度。为了提高分辨率，电流需要尽可能快地切换通过激光器二极管。GaN技术凭借其极低的输入电容，及其相比MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）显著更快的开关速度，为LiDAR系统提供了更高的分辨率和更快的响应时间。
2018-06-20 17:32
本文介绍了LMG1020主要特性，框图和典型应用电路图以及高压评估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框图，电路图，材料清单和PCB设计图。
2019-04-05 11:02
氮化镓 （GaN） 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN
2016-05-09 17:06
氮化镓 （GaN） 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN
2016-06-06 16:14
