需要临界偏置网络才能正常工作。这种电力系统配置通常用于数据中心。更新的发展是增强型GaN FET或eGaN。这是绝缘门品种。像所有的GaN器件一样，它们提供了更高速度的切换，更高的电压操作和改善散热
2017-05-03 10:41
对比GaN FET：新的集成系统大型数据中心、企业服务器和通信交换中心会消耗大量电能。在这些电源系统中，FET通常与栅极驱动器分开封装，因为它们使用不同的工艺技术，并且最终会产生额外的寄生电感。除了导致较大的形状尺寸
2022-11-07 06:26
用UCC27611搭建的驱动GaN FET电路，在FET的Drain极不加电源时，UCC27611输出波形正常，FET的Drain极加电时，UCC27611输出端检测
2024-12-20 08:22
较GaN FET与硅FET二者的退化机制，并讨论波形监视的必要性。使用寿命预测指标功率GaN落后于RF GaN的主要原因
2019-07-12 12:56
使用 TI 的高压 GaN FET 作为输入开关采用 UCD7138/UCD3138A 实现优化的 LLC SR 导通功率级尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高达 97.6%
2018-10-26 10:32
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应
2022-11-04 06:18
LMG5200 GaN FET moduleFull digital control with UCD3138A enable flexible designS.R buck topology and half-bridge current-doubler
2018-09-26 08:45
LMG1020。在此处查看演示：如下图和上图中所示，该GaN驱动器具有1ns 100W光输出的能力。这是演示中的脉冲激光开发板：这是带有最少外部组件的简单应用图：LMG1210半桥GaN FET驱动器TI
2019-11-11 15:48
使用 TI 的高压 GaN FET 作为输入开关采用 UCD7138/UCD3138A 实现优化的 LLC SR 导通功率级尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高达 97.6%
2022-09-23 07:12
