为什么PMOS的阈值电压要高于NMOS呢？下面是我用HSPICE仿真的代码.opt scale=0.1u * Set lambdamp drainp gatep Vdd Vdd pch l=2 w
2018-11-15 14:00
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率
2019-06-21 08:27
电压，低温）作为最快的一种情况，而把（slow n,slow p,低电压，高温）作为最慢的一种情况。但是管子的阈值电压与温度成反比，也就是低温时管子的阈值电压会变高，而
2021-06-24 08:01
，进而使SCR导通。 实验中：稳压管阈值电压较大时SCR可正常导通；但是稳压管阈值小的时候，SCR始终不通，后端电路一直有漏电流。（如图所示稳压管阈值电压为42V）
2023-10-10 08:57
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技
2019-06-26 06:14
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个
2019-01-17 15:55
材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN
2019-06-25 07:41
迟滞比较器的阈值电压除了由我的电阻参数设定 还要其他因素吗？我做的实验中显示我的设定值与实际值在某些情况下相差挺大的，我采用的是LM339这款比较器芯片。比如 我设定的值为VTL=1.5V、VTH=2.5V时，通过示波器观察的到的VTL=2.48V、VTH=3.64V。
2019-04-01 16:51
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体
2023-02-21 16:01
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53
