晶体管通道完全闭合；二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟，正在先行研发一种有前景的替代材料：GaN。从光学角度看，GaN的带隙为
2020-11-27 16:30
特性，我们将首先从GaN器件驱动电路设计开始介绍。 正确设计驱动电路 诸如英飞凌科技 CoolGaN™600 V HEMT之类的GaN
2021-01-19 16:48
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43
10个FiT目标已经达到开始批量生产的最低可接受水平。 应用的稳健性 除了对影响器件固有可靠性和寿命的关键因素进行大量测试外，Panasonic X-GaN晶体管还通过设计提供稳健性，有助于应用电路
2023-02-27 15:53
认为是横向电源环路，因为电源环路在单个PCB层上横向流动。使用LGA晶体管设计的横向布局示例如图4所示。此图中突出显示了高频环路。 图 4：基于 LGA GaN 晶体管
2023-02-24 15:15
GaN（氮化镓）晶体管，特别是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及低导通电阻等特性
2024-08-15 11:27
基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si
2021-04-23 11:27
GaN（氮化镓）晶体管，特别是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细，融合了多种材料和
2024-08-15 11:01
电子发烧友网站提供《GaN晶体管的命名、类型和结构.pdf》资料免费下载
2024-09-12 10:01
GaN（氮化镓）晶体管和SiC（碳化硅）晶体管作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料特性、性能表现、应用场景以及制造工艺等方面存在诸多不同。以下是对
2024-08-15 11:16
