松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ，GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面，Si基板产品为18.3nC
2016-12-12 10:15
GaN近期为何这么火？如果再有人这么问你，你可以这样回答：因为我们离不开电源。
2023-11-02 10:32
由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在Si
2023-06-10 09:43
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影
2015-11-08 18:00
镓(Ga)是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。GaN-on-SiC在射频应用中
2017-11-22 10:41
，是向前迈出的重要一步。这种信号与功率的强大融合提供了一种坚固的解决方案，易于使用，并极大简化了整体系统设计。本文强调了一些早期GaN技术的困难，介绍了新款GaN
2024-07-30 11:23 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06
解决方案需要额外的 IC，这会增加额外的复杂性和挑战。在本文中，作者介绍了一种兼容 GaN FET 的模拟控制器，该控制器的物料清单数量少，使设计人员能够像使用硅 FET 一样简单地设计同步降压转换器，并提供卓越的性能。 众所周知，与传统的硅 FET 相比，氮化
2022-08-04 09:58
GaN-HEMT以高效率提供高射频输出功率而闻名。由于这些特性，这类晶体管可以显著改善微波到毫米波无线电通信和雷达系统的性能。这些HEMTs可用于气象雷达系统、监测和预报局地强降水，以及5G系统，提供毫米波段的通信。
2020-11-29 10:28
今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃，GaN逐渐成为主流，开始渗透一些批量需求的商业市场。 GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟，并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。
2016-12-14 02:16
