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  • 用于低温应用的GaN器件

    作者研究了四个商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之间的宽温度范围内的性能。据作者介绍,正如原始文章中所报道的,所有测试的器件都可以在低温下成功运行,性能整体有所提高。然而,不同的

    2022-07-25 09:20

  • 基于GaN器件的驱动设计方案

    氮化镓(GaN器件具有类似硅的电性能,可以由硅MOSFET设计中使用的许多现成的驱动产品驱动。

    2022-07-12 13:05

  • 基于GaN器件的驱动设计方案

    氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动

    2019-11-18 08:38

  • 氮化镓(GaN)器件基础技术问题分享

    作为一种新型功率器件GaN 器件在电源的高密小型化方面极具优势。

    2023-12-07 09:44

  • 浅谈GaN器件与数据中心的关系

    GaN器件用于从交流到直流的功率转换,然后用于转换负载的直流电压,可以将Si器件的整体效率从77%提高到接近84%,如图3所示。根据一级数据中心运营商GaN Syste

    2018-08-25 10:08

  • 低压GaN器件,为什么还未被广泛应用

    数据中心电源上已经开始被广泛应用。   而随着数据中心单机架的功率不断提高,数据中心的次级端,机架的配电系统设计电压从12V往48V升级。与此同时,数据中心配电系统的DC-DC中,低压的GaN器件,比如40V和100V规格的

    2022-12-13 09:21

  • 低压GaN器件,为什么还未被广泛应用

    数据中心电源上已经开始被广泛应用。 而随着数据中心单机架的功率不断提高,数据中心的次级端,机架的配电系统设计电压从12V往48V升级。与此同时,数据中心配电系统的DC-DC中,低压的GaN器件,比如40V和100V规格的Ga

    2022-12-13 07:10

  • GaN器件特性影响因素有哪些?

    GaN开始为人所知是在光电LED市场,广为人知则是在功率半导体的消费电子快充市场。但实际上,GaN最初在功率半导体领域的目标据说是新能源汽车市场,而非消费电子市场。

    2023-06-29 11:43

  • 德州仪器:GaN器件的直接驱动配置

    受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。

    2020-08-04 09:19

  • 了解GaN器件热分析

    您的工作是否涉及有源/无源微电子电路和设计?如果涉及,您可能非常了解高温会对这些器件产生哪些不利影响。高工作温度会导致性能下降,服务寿命缩短。因此,工程师应始终考虑热因素的影响,以消除器件设计中的潜在问题。

    2022-12-26 10:16