氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动
2019-11-18 08:38
今天，永磁电机，也称为直流无刷电机，应用广泛，与其他电机相比，可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的动态性能。迄今为止，硅基功率器件一直在逆变器电子产品中占据主导地位，但今天，它们的性能已接近理论极限。1,2 对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓晶体管和 IC 具有满足这些需求的最佳属性。
2022-08-03 09:31
GaN-HEMT以高效率提供高射频输出功率而闻名。由于这些特性，这类晶体管可以显著改善微波到毫米波无线电通信和雷达系统的性能。这些HEMTs可用于气象雷达系统、监测和预报局地强降水，以及5G系统，提供毫米波段的通信。
2020-11-29 10:28
近年来，半导体技术发展迅速，集成电路产业规模不断扩大。5G 时代的到来，对射频器件所用半导体材料提出了新要求。氮化镓（GaN）由于其大禁带宽度和高饱和电子迁移率成为该领域的新兴材料，在大功率、射频、高频微波等应用领域具有良好的应用前景 。
2022-07-11 09:55
多年来，技术进步使得从功率器件获得高级性能成为可能。氮化镓 （GaN）不同于硅 （Si）。它是一种类似于晶体的材料，能够传导更高的电压。与硅元件相比，电流可以更容易地通过元件，从而提高效率并减少
2022-08-05 08:04
但是由于光伏电池板与电网存在电气连接，逆变器中功率器件的高频动作所导致的共模电压通过光伏板与大地之间的寄生电容，会在共模回路中形成共模电流，非隔离型光伏并网系统结构如图1所示。而共模电流会引起并网电流的畸变.
2017-12-01 13:44
在整个应力作用下，性能略有下降。正如预期的那样，跨导和漏电流随着时间的推移而减小。电子迁移率下降对温度的影响
2023-12-02 10:27
