GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的门极驱动
2019-11-18 08:38
GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及，大大提升了电源的效率和功率密度，其优点和用量递增，也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 安森美（onsemi）新推出的iGaN NCP5892x系列，集成eGaN与驱动
2024-11-15 10:37
第一代半导体材料以硅（Si）和锗（Ge）为代表，它们为半导体行业奠定了坚实的基础。随着技术的发展，第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）和锑化铟（InSb）为核心，这些材料的高频和高速特性，为电子器件
2024-08-21 10:01
典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33
图腾柱 (BTP) 功率因数校正 (PFC) 电路和 LLC 谐振转换器的实现，可实现高于 80 Plus Titanium 要求的满负载效率。
2022-08-03 09:25
氮化镓(GaN)功率器件中千伏特击穿电压的演示长期以来一直激励着电力电子和其他应用的优化。这是由于电力系统中转换效率的潜力大大提高。GaN器件可分为横向和纵向
2024-06-04 10:24
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN
2025-05-15 15:28
硅材料的功率半导体器件已被广泛应用于大功率开关中，如电源、电机控制、工厂自动化以及部分汽车电子器件。这些硅材料功率半导体器件都着重于减少功率损耗。在这些应用中，更高的击
2023-11-09 11:26
