，还可以降低 50%以上的能量损失，最高可使设备的体积减小近 75%。以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体材料已经开始在射频和功率领域挑战硅（Si）材料的统治地位。 SiC 的禁带宽度为 3eV，SiC 基 MOSFET 非常适用于高频工作
2020-11-19 15:33
最近，整理了市面上发售的氮化镓 GaN 充电器产品。一波是采用 PI 的主控芯片，PI 芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用纳微 GaN 产品（QR／ACF＋NV 功率器件＋同步整流）；在
2021-01-07 23:01
更多内容关注公众号：【向上90后】
2021-10-22 11:06
低规格GaN快速充电器的脉冲ACF
2023-06-19 12:09
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器
2021-09-14 08:35
在消费类应用领域，由于快速充电器的快速增长，GaN 技术在 2020-2021 跨越了鸿沟，目前其他交直流应用场景中也采用了GaN• 带有嵌入式驱动程序 / 控制器（MasterGaN、VIPerGaN）的系统封装
2023-09-07 07:20
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 20:21 编辑 充电器及充电器原理图设计
2012-08-14 13:01
由于换了三星手机，之前的充电器都不支持快充了，一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器，「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的
2021-09-14 08:28
无线充电器的设计资料分享来自网络资源
2020-10-06 22:22
充电器充电通常可分为预充电、快速充电、涓流充电、补足充电四个阶段：
2017-01-03 21:06
